Azotek galu odegra taką rolę w elektronice i optoelektronice XXI wieku, jaką pełnił krzem w ostatnich dziesięcioleciach XX wieku.
Pracę poświęcono nowej i dynamicznie rozwijającej się metodzie selektywnej epitaksji (SAE) GaN oraz jej zastosowaniu do wytwarzania struktur przyrządowych lub warstw GaN o obniżonej gęstości defektów. Omówiono, inne niż SAE, metody doskonalenia jakości warstw epitaksjalnych GaN, takie jak: optymalizacja parametrów procesu osadzania, poszukiwanie nowych podłoży, alternatywnych do Al2O3 i SiC, lepiej dopasowanych do azotków oraz opracowywanie nowych metod wytwarzania warstw.
Przedstawiono zastosowanie techniki SAE GaN do selektywnego wytwarzania struktur przyrządowych nowej generacji, takich jak mikrodyskowe i mikropryzmowe wnęki laserowe, heksagonalne mikrościenne lasery, światłowody GaN, matryce polowych emiterów elektronów oraz emiter GaN bipolarnego tranzystora heterozłączowego SiC. Praca oddaje współczesny stan wiedzy w zakresie selektywnej epitaksji azotku galu.